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本發(fā)明涉及一種p型摻雜6H?碳化硅晶體的無(wú)損判定方法,使用變溫拉曼光譜,對待測的p型摻雜6H?SiC晶體樣品進(jìn)行光譜測量,探測光的入射方向為沿SiC晶片的(0001)
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2天前  器件的環(huán)節,MOSFET只有我們公司量產(chǎn)碳化硅的MOSFET,國內其他的公司可能還在工程樣品的階段。國內對碳化硅非常重視,政府和民間都投入了大量的資源,未來(lái)
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云南耐腐蝕碳化硅結合氮化硅零售 鄒平奧翔硅碳供應如何制備氮化硅結合碳化硅陶瓷支撐體,是需要不斷試驗和改良設計及配方的,按照初實(shí)驗配方稱(chēng)取一定量
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