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PECVD氮化硅設備考慮和應用--《微電子學(xué)與計算機》年期細線(xiàn)條發(fā)展過(guò)程氮化硅鈍化氮化硅膜鈍化膜均勻度膜試驗生產(chǎn)量溫度射頻頻率。氮化硅膜射頻頻率及硅烷的試驗過(guò)程。確定了適合于大面積電路鈍化膜的設備條件.。

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